Las máquinas de litografía son vitales para la producción de chips semiconductores. Utilizan luz ultravioleta para crear patrones diminutos en una capa delgada llamada fotorresistente, que forma la estructura básica de los circuitos integrados.
Tradicionalmente, las máquinas de litografía utilizan lámparas de mercurio o fuentes de luz LED UV profundas convencionales. Sin embargo, estos métodos presentan varios desafíos, incluidas las grandes dimensiones del dispositivo, la baja eficiencia luminosa, el alto consumo de energía y la potencia insuficiente para un trabajo preciso.
Para resolver estos problemas, el equipo de investigación, dirigido por el profesor Kwok Hoi-Sing, diseñó un nuevo tipo de matriz de pantalla microLED UV profunda. Su invento permite la “fotolitografía sin máscara”, un proceso de vanguardia que no requiere costosas máscaras litográficas.
En cambio, los patrones de circuitos se pueden diseñar directamente utilizando microLED. Este avance permite que la capa fotorresistente quede expuesta a la luz ultravioleta más rápidamente, lo que reduce significativamente el tiempo y el costo de fabricación.
El equipo construyó un prototipo de máquina de litografía utilizando estos chips para pantallas microLED con luz ultravioleta profunda.
El profesor Kwok compartió que el equipo ha logrado hitos importantes, incluida la creación de dispositivos más pequeños con menores requisitos de energía, mayor eficiencia luminosa y mejor resolución. Estos avances posicionan su tecnología como líder en la industria global de semiconductores.
El Dr. Feng Feng, investigador postdoctoral del proyecto, señaló que estos chips microLED de luz ultravioleta profunda superan a otras tecnologías similares en todas las medidas clave, como el tamaño del dispositivo, la densidad de potencia óptica y el rendimiento general. Su trabajo representa un importante paso adelante en la fabricación de semiconductores.
Este logro fue nombrado uno de los 10 principales avances en la tecnología de semiconductores de tercera generación de China en el 10.º Foro Internacional de Semiconductores de Banda Ancha en 2024.
En el futuro, los investigadores planean seguir mejorando su tecnología. Su objetivo es mejorar el rendimiento de los microLED de AlGaN con luz ultravioleta profunda y crear pantallas de mayor resolución, de 2k a 8k. Estos avances podrían conducir a procesos de fabricación de semiconductores aún más precisos y eficientes.
Esta invención marca un importante paso adelante en la industria de los semiconductores, ya que podría hacer que la electrónica avanzada sea más barata y más fácil de producir, al tiempo que allana el camino para futuras innovaciones.
Feng, F., Liu, Y., Zhang, K. et al. High-power AlGaN deep-ultraviolet micro-light-emitting diode displays for maskless photolithography. Nature Photonics (2024).